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한창 들려있었다. 귀퉁이에 샐 거야. 시작했다.차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)(SK하이닉스 제공) ⓒ News1 최동현 기자


(서울=뉴스1) 최동현 기자 = 차선용 SK하이닉스(000660) 미래기술연구원장(CTO)은 "현재의 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 '4F²(스퀘어) VG 플랫폼'과 '3D D램 기술'을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다.
차 CTO는 10일 일본 교토에서 열린 IEEE VLSI 심포지엄 2025에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도' 주제의 기조연설에서 이런 청사진을 공개했플렉스컴 주식
다.
IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회로, 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최된다. 올해 심포지엄은 교토에서 8~12일 개최됐으며, 차세대 반도체와 인공지능(AI) 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 공유됐다.
'테크 플랫폼'이란 특정 세대 제품에바다이야기
만 적용되는 것이 아닌 여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적 틀을 뜻한다. '4F 스퀘어'란 D램은 셀 단위로 데이터를 저장하는데, 실무에선 개별 셀이 차지하는 면적을 F2으로 표현한다. F는 반도체의 최소 선폭을 뜻하는 용어로 4F²(2F x 2F)는 한 칩 안에 더 많은 셀을 넣기 위한 고집적 기술이다.'VG'(Vertical Gate)는 D램에서 증권블로그
트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조를 말한다.
현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다.
차 CTO는 4F² VG와 릴게임판매
함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만 SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다.
차 CTO는 구조적 혁신을 넘어 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 스켈핑
확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 포부도 밝혔다.
그는 "2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 "앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다"고 했다.
한편 SK하이닉스는 심포지엄 마지막 날인 12일 차세대 D램 태스크포스(TF) 담당인 박주동 부사장이 발표자로 나서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.
dongchoi89@news1.kr